￥ 35.12

IXTN60N50L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTN60N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 53 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTN60N50L2 数据手册 (6 页)

封装尺寸在2 页 4 页

IXTN60N50L2 数据手册 (6 页)

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IXTN60N50L2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

100 mΩ

极性

N-Channel

功耗

735 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

24000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

735 W

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

735W (Tc)

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IXTN60N50L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

12.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTN60N50L2 符合标准

IXTN60N50L2 概述

IXTN60N50L2 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.12 MByte

IXTN60N50L2 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

16 页 / 0.13 MByte

IXTN60N50 数据手册

IXTN60N50L2 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXTN60N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 53 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V

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