￥ 0.242

ZVP2106ASTZ 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

通孔-P-通道-60V-280mA（Ta）-700mW（Ta）-E-Line（TO-92-兼容）

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVP2106ASTZ 数据手册 (3 页)

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ZVP2106ASTZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-280 mA

封装

TO-92-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

5.00 Ω

极性

P-Channel

功耗

0.7 W

输入电容

100 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

280 mA

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

100pF @18V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700 mW

查看数据手册 >

ZVP2106ASTZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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ZVP2106ASTZ 符合标准

ZVP2106ASTZ 海关信息

ZVP2106ASTZ 数据手册

Diodes（美台）

3 页 / 0.05 MByte

ZVP2106ASTZ 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZVP2106ASTZ 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.4 MByte

ZVP2106ASTZ 产品手册

Diodes（美台）

3 页 / 0.07 MByte

ZVP2106 数据手册

ZVP2106A 数据手册

Diodes（美台）

DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V

ZVP2106GTA 数据手册

Diodes（美台）

P沟道 60V 450mA

ZVP2106ASTZ 数据手册

Diodes（美台）

通孔-P-通道-60V-280mA（Ta）-700mW（Ta）-E-Line（TO-92-兼容）

ZVP2106G 数据手册

Diodes（美台）

DIODES INC. ZVP2106G 晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V

ZVP2106A 数据手册

Zetex

ZVP2106GTA 数据手册

Zetex

ZVP2106GTA P沟道MOS场效应管 -60V -450mA 5ohm SOT-223 marking/标记 zvp2106

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Diodes Zetex（捷特科）

P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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