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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Diodes(美台) > ZXGD3101N8TC Datasheet 文档
ZXGD3101N8TC
器件3D模型
0.45

ZXGD3101N8TC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
305ns, 20ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
0.49 W
上升时间
305 ns
下降时间
20 ns
下降时间(Max)
20 ns
上升时间(Max)
305 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
490 mW
电源电压
5V ~ 15V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
5 V

ZXGD3101N8TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXGD3101N8TC 数据手册

Diodes(美台)
14 页 / 0.35 MByte
Diodes(美台)
4 页 / 0.19 MByte
Diodes(美台)
14 页 / 0.36 MByte

ZXGD3101N8 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZXGD3101N8TC  理想二极管替代, 5-15Vcc量程, 15ns关闭传播延迟, SOIC-8
Diodes Zetex(捷特科)
Diodes Inc### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Diodes Inc
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
ZXGD3101N8TA , MOSFET 功率驱动器, 7A, 8针 SOIC封装
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