器件3D模型

￥ 0.371

ZXMC4559DN8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ZXMC4559DN8 系列 60 V 0.55 Ohm N/P 沟道双增强模式 MOSFET-SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMC4559DN8TA 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

原理图在1 页

ZXMC4559DN8TA 数据手册 (11 页)

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ZXMC4559DN8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电流

4.70 A

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

105 mΩ

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2.1 W

阈值电压

1 V

输入电容

1.02 nF

栅电荷

24.2 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.70 A

上升时间

4.1 ns

输入电容值(Ciss)

1063pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.25 W

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ZXMC4559DN8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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ZXMC4559DN8TA 符合标准

ZXMC4559DN8TA 海关信息