器件3D模型

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ZXMHC6A07N8 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

封装:

SOIC-8

描述:

MOS(场效应管)/ZXMHC6A07N8

Pictures:

3D模型

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引脚图

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ZXMHC6A07N8 数据手册 (11 页)

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ZXMHC6A07N8 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOIC-8

极性

N+P

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.8A/1.42A

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ZXMHC6A07N8 符合标准

ZXMHC6A07N8 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

11 页 / 0.72 MByte

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