￥ 0.159

ZXMN10A11GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ZXMN10A11GTA 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZXMN10A11GTA 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

ZXMN10A11GTA 数据手册 (8 页)

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ZXMN10A11GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

1.00 A

封装

TO-261-4

漏源极电阻

450 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.9 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.40 A

上升时间

1.7 ns

输入电容值(Ciss)

274pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

3.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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ZXMN10A11GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXMN10A11GTA 符合标准

ZXMN10A11GTA 海关信息

ZXMN10A11GTA 概述

ZXMN10A11GTA 数据手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.63 MByte

ZXMN10A11GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZXMN10A11GTA 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.55 MByte

ZXMN10A11GTA 产品封装文件

Diodes（美台）

7 页 / 0.31 MByte

ZXMN10A11GTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

ZXMN10A11 数据手册

ZXMN10A11GTA 数据手册

Diodes（美台）

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Diodes（美台）

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Zetex

ZXMN10A11G 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. ZXMN10A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

ZXMN10A11G 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V

ZXMN10A11GTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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