￥ 1.189

IXFX44N60 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

单 N-沟道 600 V 560 W 330 nC 通孔功率 Mosfet - PLUS247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFX44N60 数据手册 (4 页)

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IXFX44N60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

44.0 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

130 mΩ

极性

N-CH

功耗

560 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

44.0 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

8900pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

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IXFX44N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFX44N60 符合标准

IXFX44N60 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.1 MByte

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9 页 / 0.1 MByte

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