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ZXMP10A18K
0.771
ZXMP10A18K 数据手册 (7 页)
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ZXMP10A18K 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-5.20 A
封装
TO-252-3
极性
P-CH
功耗
10200 mW
输入电容
1.05 nF
栅电荷
26.9 nC
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
5.90 A
上升时间
6.8 ns
输入电容值(Ciss)
1055pF @50V(Vds)
下降时间
17.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.17W (Ta)

ZXMP10A18K 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP10A18K 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.84 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.8 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.15 MByte

ZXMP10A18 数据手册

Diodes(美台)
ZXMP10A18 系列 100 V 0.15 Ohm P 沟道 增强模式 MOSFET - DPAK
Diodes(美台)
ZXMP10A18GTA 编带
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
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