￥ 0.266

ZXMP10A18KTC 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ZXMP10A18 系列 100 V 0.15 Ohm P 沟道增强模式 MOSFET - DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZXMP10A18KTC 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

ZXMP10A18KTC 数据手册 (8 页)

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ZXMP10A18KTC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

P-Channel

功耗

4.3 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

5.9A

上升时间

6.8 ns

输入电容值(Ciss)

1055pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2.17 W

下降时间

17.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

10200 mW

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ZXMP10A18KTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXMP10A18KTC 符合标准

ZXMP10A18KTC 海关信息

ZXMP10A18KTC 数据手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.83 MByte

ZXMP10A18KTC 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZXMP10A18KTC 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.46 MByte

ZXMP10A18KTC 产品封装文件

Diodes（美台）

9 页 / 0.56 MByte

ZXMP10A18KTC 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

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