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ZXMP6A17GQTA
0.265
ZXMP6A17GQTA 数据手册 (5 页)
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ZXMP6A17GQTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-3
极性
P-CH
功耗
3.9 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
4.3A
上升时间
3.4 ns
输入电容值(Ciss)
637pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
11.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

ZXMP6A17GQTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP6A17GQTA 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.22 MByte
Diodes(美台)
9 页 / 0.21 MByte

ZXMP6A17 数据手册

Diodes(美台)
ZXMP6A17GTA 编带
Diodes(美台)
-60V,-3A,P沟道MOSFET
Diodes(美台)
P-沟道 60 V 125 mOhm 表面贴装 增强型 Mosfet - TO252-3L
Diodes(美台)
ZXMP6A16 系列 60 V 0.125 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.3 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
Diodes(美台)
P沟道 60V 3A
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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