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ZXMS6005DGTA
0.619
ZXMS6005DGTA 数据手册 (9 页)
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ZXMS6005DGTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
输出接口数
1 Output
通道数
1 Channel
漏源极电阻
150 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
输出电流(Max)
2 A
下降时间
19 µs
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃

ZXMS6005DGTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

ZXMS6005DGTA 数据手册

Diodes(美台)
9 页 / 0.29 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte

ZXMS6005 数据手册

Diodes(美台)
ZXMS6005SGTA 编带
Diodes(美台)
功率电子开关 ZXMS6005DGTA SOT-223-3
Diodes(美台)
ZXMS6005DT8TA 编带
Diodes(美台)
功率电子开关 ZXMS6005N8-13 SO-8
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
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