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Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > 2N7002KT1G 数据手册 > 2N7002KT1G 产品修订记录 1/7 页
2N7002KT1G
￥ 0.116

2N7002KT1G 产品修订记录 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON SEMICONDUCTOR  2N7002KT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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2N7002KT1G数据手册
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Final Product/Process Change Notification
Document #:FPCN22769X
Issue Date:01 Apr 2020
TEM001793 Rev. C Page 1 of 3
TitleofChange:
AddSumitomoE500LLasalternativemoldcompoundforSOT‐23industrialpart.
ProposedFirstShipdate:
10Aug2020orearlierifapprovedbycustomer
ContactInformation:
ContactyourlocalONSemiconductorSalesOfficeorJim.Peng@onsemi.com
PCNSamplesContact:
ContactyourlocalONSemiconductorSalesOfficeorPCN.samples@onsemi.com
Samplerequestsaretobesubmittednolaterthan30daysfromthedateoffirstnotification,
InitialPCNorFinalPCN,forthischange.
Samplesdeliverytimingwillbesubjecttorequestdate,samplequantityandspecialcustomer
packing/labelrequirements.
AdditionalReliabilityData:
ContactyourlocalONSemiconductorSalesOfficeorffvf9f@onsemi.com
TypeofNotification:
ThisisaFinalProduct/ProcessChangeNotification(FPCN)senttocustomers.FPCNsareissued90
dayspriortoimplementationofthechange.
ONSemiconductorwillconsiderthischangeaccepted,unlessaninquiryismadeinwritingwithin
30daysofdeliveryofthisnotice.Todoso,contactPCN.Support@onsemi.com
MarkingofParts/Traceabilityof
Change:
AssemblyLotNumber
ChangeCategory:
AssemblyChange
ChangeSub‐Category(s):
MaterialChange
SitesAffected:
ONSemiconductorSites ExternalFoundry/SubconSites
LeshanPhoenixSemiconductor,China None
DescriptionandPurpose:
Upon the expiration of this PCN, these devices will be built with 3 mold compounds at the same site. Datasheet specifications and product
electricalperformanceremainunchanged.Reliabilityqualificationandfullelectricalcharacterizationovertemperaturehadbeenperformed.
Thepurposeofthischangeistoaddnewmoldcompoundassecondsource.
Thereisnopartnumberandproductmarkingchangeasaresultofthischange.
Materialtobechange BeforeChangeDescription AfterChangeDescription
MoldCompound
HenkelGR640HV
HitachiGE200FHWG
HenkelGR640HV
HitachiGE200FHWG
SumitomoE500LL

2N7002KT1G 数据手册

2N7002KT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.17 MByte
2N7002KT1G 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
28 页 / 2.95 MByte
2N7002KT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 2.07 MByte
2N7002KT1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte
2N7002KT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
19 页 / 1.07 MByte
2N7002KT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.6 MByte

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N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
2N7002K/T1 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  2N7002K / T1  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
2N7002K / T1 数据手册
Vishay Siliconix
2N7002K / T1 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
2N7002K/T1 数据手册
VISHAY（威世）
2N7002K-T1 数据手册
VISHAY（威世）
2N7002KT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  2N7002KT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23
2N7002K-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
60V,0.3A,N沟道MOSFET
2N7002K-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道MOSFET 60V 300mA SOT-23 代码 7K 坚固
2N7002K-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
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