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BSP51 其他数据使用手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
封装:
SOT-223
描述:
BSP51 NPN+NPN复合三极管 80V 1A 2000 SOT-223 标记BSP51 用于开关/数字电路
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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BSP51数据手册
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BSP51
NPN Darlington transistor
13 July 2018 Product data sheet
1. General description
NPN Darlington transistor in an SOT223 plastic package.
PNP complement: BSP61
2. Features and benefits
• High current of 1 A
• Low voltage of 60 V
• Integrated diode and resistor
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Industrial high gain amplification
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CBO
collector-base voltage open emitter - - 80 V
V
CES
collector-emitter
voltage
base short-circuited to emitter - - 60 V
I
C
collector current - - 1 A
I
CM
peak collector current - - 2 A
h
FE
DC current gain V
CE
= 10 V; I
C
= 150 mA [1] 1000 - -
[1] Pulse test: t
p
≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.
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