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DAP202UMFHTL 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
小信号二极管
封装:
SOT-323
描述:
ROHM DAP202UMFHTL 二极管 小信号, 双共阳极, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A 新
Pictures:
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DAP202UMFHTL数据手册
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Data Sheet
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.09 - Rev.A
Switching Diode
DAP202UMFH
Applications Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm)
High speed switching
Features
1)Sm
all mold, flat lead type. (UMD3F)
2)High r
eliability
Construction
Structure
Silicon epitaxial planer
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Sym
bol Unit
V
RM
V
V
R
V
I
FM
mA
Io mA
I
surge
A
Pd mW/Total
Tj
°C
Tstg
°C
f MHz
Electrical characteristics (Ta=25°C)
Sym
bol Min. Typ
. Max. Unit Conditions
Forward voltage
V
F
- - 1.2 V
I
F
=100mA
Reverse current
I
R
- - 0.1 μA
V
R
=70V
Ct - - 3.5 pF
V
R
=6V , f=1MHz
trr - - 4.0 ns
V
R
=6V , I
F
=5mA , R
L
=50Ω
Reverse voltage (DC) 80
Taping dimensions (Unit : mm)
Parameter Limits
Reverse voltage (repetitive)
80
Forward voltage(repetitive peak) 300
Average rectified forward current 100
Surge current(t=1s) 4
Power dissipation 200
Junction temperature 150
Storage temperature
-
55 to
+
150
Rated in slash put frequency 100
Parameter
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
ROHM : UMD3F
dot (year week factory)
1.15±0.1
0.3±0.1
φ1.55±0.05
8.0±0.2
2.0±0.05
4.0±0.1
4.0±0.1
2.2±0.08
φ0.5±0.05
1.75±0.1
0～0.5
3.5±0.05
2.4±0.08
5.5±0.2
2.0±0.1
2.1±0.1
1.3±0.1
1.25±0.1
0.65
0.65
0.32
+0.1
-0.05
0～0.1
0.13±0.05
(1)
(3)
(2)
0.425 0.425
0.9±0.1
0.53± 0.1
各リードとも
同寸法
0.53± 0.1
Each lead has
same dimensions
AEC-Q101 Qualified
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