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器件3D模型￥ 0.672
LM336BMX-2.5/NOPB 其他数据使用手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
参考电压 Voltage Reference Diode 8-SOIC 0 to 70
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
封装尺寸在P13
功能描述在P7P9
电气规格在P3
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LM336BMX-2.5/NOPB数据手册
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所有工作模式
逻辑高电平输出时的
共模瞬变抗扰度
4
|CM
H
| 25 35 kV/µs
V
UD+
、V
UD−
、V
DD+
、V
DD−
= V
DD1
或V
DD2
，
V
CM
= 1000 V，瞬变幅度 = 800 V
逻辑低电平输出时的
共模瞬变抗扰度
4
|CM
L
| 25 35 kV/µs
V
UD+
、V
UD−
、V
DD+
、V
DD−
= 0 V，
V
CM
= 1000 V，瞬变幅度 = 800 V
封装特性
表2.
电阻(输入至输出)
1
R
I-O
10
12
Ω
电容(输入至输出)
1
C
I-O
2.2 pF f = 1 MHz
输入电容
2
C
I
4.0 pF
IC结至环境热阻 θ
JA
45 °C/W
热电偶位于封装底部正中间
表3.
UL CSA VDE
UL 1577器件认可程序认可
1
CSA元件验收通知#5A批准
DIN V VDE V 0884-10
(VDE V 0884-10)认证：2006-122
单一保护，2500 V rms隔离电压 基本绝缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准，
600 V rms (849 V峰值)最大工作电压
加强绝缘，560 V峰值
文件E214100 文件205078 文件2471900-4880-0001
隔离和安全相关特性
表4.
参数
符号
值
单位
测试条件
/
注释
额定电介质隔离电压 2500 V 持续1分钟
最小外部气隙(间隙) L(I01) 8.0 min mm
测量输入端至输出端，隔空最短距离
最小外部爬电距离 L(I02) 7.7 min mm
测量输入端至输出端，沿壳体最短距离
最小内部间隙 0.017 min mm 隔离距离
漏电阻抗(相对漏电指数) CTI >175 V DIN IEC 112/VDE 0303第1部分
隔离组
IIIa
材料组
(DIN VDE 0110
，
1/89
，表
1)
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/备注
1
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/备注
1
C
L
= 负载电容、R
L
= 测试负载电阻、V
L
= 测试负载电压和V
CM
= 共模电压。
2
以固定连续数据速率运行、50%占空比、J和K状态交替下器件的电源电流值。电源电流值是在USB兼容负载存在的条件下测得。
3
任一信号方向下DD+至UD+或DD−至UD−的传播延迟是从上升或下降沿的50%水平到对应输出信号的上升或下降沿的50%水平的测量结果。
4
CM
H
是在维持V
O
> 0.8 V
DD2
时能保持的最大共模电压压摆率。CM
L
是在维持V
O
< 0.8 V时能保持的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和
下降沿。瞬变幅度是共模压摆的范围。
法规信息
ADuM3160已获得表3所列机构的认可。关于特定交叉隔离波形和绝缘水平下的推荐最大工作电压，请参阅表8和隔离
寿命部分。
1
依据UL1577，每个ADuM3160都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3000 V rms的验证测试(漏电流检测限值为10μA)。
2
依据DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12，每个ADuM3160都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件标识
中的星号(*)表示通过DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12认证。
1
假设器件为双端器件；引脚1至引脚8短接，引脚9至引脚16短接。
2
输入电容是从任意输入数据引脚到地的容值。
ADuM3160
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