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SN7407N
器件3D模型
4.707
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SN7407N数据手册
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COM
OUT(1-7)
IN(1-7)
1M
50k
OVP
Regulation
Circuitry
DRIVER
TPL7407L
www.ti.com.cn
ZHCSC16A JANUARY 2014REVISED JANUARY 2014
TPL7407L 40V 7 通道道低侧驱驱动
查询询样: TPL7407L
1
特性
应用用范
600mA 额定定漏极电电流(每每通道) 电感感负
7 通道道达灵顿 (Darlington) 阵列列((例 继电电器
ULN2003A)的 CMOS 引脚脚到引脚脚改
单极极步 & 有刷刷直直流电机
功耗耗(极低 V
OL
螺线线管 & 阀门
电流流为 100mA 时,V
OL
低于于达灵顿
发光光二极管 (LED)
(Darlington) 阵列列的的四分之之一
逻辑辑电平位位移
每通通道小于 10nA 的极低输输出泄露
栅极 & 绝缘缘栅双极极型晶体体管 (IGBT) 驱动
扩展展环境温温度范围围:
T
A
= -40°C 125°C
说明
高压压输 40V
TPL7407L 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。
1.8V 5.0V 微控控制制器和逻逻辑接口口兼
这个器件包含 7 个特有高压输出的 NMOS 晶体管,这
用于于感应反反冲保护护的内部部自振荡荡二极管
些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。
输入入下拉电电阻器可可实现三三态输入入驱动器
一个单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为
用来来消除嘈嘈杂环境境中寄生生运行的的输入电电阻电容 (RC)
600mA 增加的全新稳压和驱动电路在整个通用输入
缓冲冲器
输出 (GPIO) 范围内 (1.8V-5.0V) 提供最大驱动强度。
电感感负载驱驱动器应应用
可将这些晶体管并联以实现更高的电流能力。
静电电放 (ESD) 保护护性性能超过 JESD 22 规范范要
TPL7407L 的主要优势是其经提升的效率以及低于双极
2kV 人体体模模型 (HBM)500V 充电电器器件模型
达灵顿 (Darlington) 器件的泄露值。 借助于较低的
(CDM)
V
OL
,功率耗散比传统中继驱动器少一半,每通道的电
采用 16 引脚脚小小外外形尺寸寸集成电电路 (SOIC) 和薄薄型型小
流少于 250mA
外形形尺 (TSSOP) 封装
器件件信
订货货编 封装装(引脚脚) 封装装尺
TPL7407L SOIC (16) 9.9mm x 3.91mm
TPL7407L TSSOP (16) 5.0mm x 4.4mm
简化化电路原原理
1
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Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.
Copyright © 2014, Texas Instruments Incorporated
Products conform to specifications per the terms of the Texas
Instruments standard warranty. Production processing does not English Data Sheet: SLRS066
necessarily include testing of all parameters.

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