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STD35P6LLF6 其他数据使用手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
STD35P6LLF6 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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STD35P6LLF6数据手册
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STD35P6LLF6
Electrical characteristics
DocID025600 Rev 3
5/16
Table 7: Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
SD
(1)
Forward on voltage
V
GS
= 0 V, I
SD
= 35 A
-
1.5
V
t
rr
Reverse recovery time
I
SD
= 35 A, di/dt = 100 A/µs,
V
DD
= 48 V, (see Figure 15:
"Test circuit for inductive load
switching and diode recovery
times")
-
34
ns
Q
rr
Reverse recovery charge
-
48
nC
I
RRM
Reverse recovery current
-
2.8
A
Notes:
(1)
Pulse test: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%
For the P-channel Power MOSFET, current polarity of voltages and current have
to be reversed.
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