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器件3D模型￥ 7.324
TPS61085TDGKRQ1 其他数据使用手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
DC/DC转换器
封装:
VSSOP-8
描述:
650千赫/ 1.2 - MHz的18.5 -V升压DC-DC转换器 650-kHz/1.2-MHz 18.5-V STEP-UP DC-DC CONVERTER
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
引脚图在P4Hot
典型应用电路图在P22P23P26
原理图在P15P22
封装尺寸在P32P34P35
焊盘布局在P30
标记信息在P32
封装信息在P32P33P34P35
技术参数、封装参数在P5
应用领域在P22P23
电气规格在P6P7P15
导航目录
TPS61085TDGKRQ1数据手册
Page:
of 39 Go
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RF
TRIP
MODE
VDD
VREG
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
TPS53355
VFB
EN
PGOOD
VBST
N/C
LL
LL
LL
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12
V
OUT
VREG
GND
LL
LL
LL
EN
PGOOD
V
VDD
V
IN
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
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An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
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English Data Sheet: SLUSAE5
TPS53355
ZHCS181D –AUGUST 2011–REVISED NOVEMBER 2016
TPS53355 高高效效 30A 同同步步降降压压 SWIFT™ 转转换换器器，，具具有有
Eco-mode™
1
1 特特性性
1
• 最高效率达 96%
• 转换输入电压范围：1.5V 至 15V
• 漏极电源电压 (VDD) 输入电压范围：4.5V 至 25V
• 输出电压范围：0.6V 至 5.5V
• 5V 低压降 (LDO) 输出
• 支持单电源轨出入
• 带有 30A 持续输出电流的集成型功率金属氧化物半
导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 自动跳跃 Eco-mode™，用于实现轻负载效率
• < 10μA 关断电流
• 针对快速瞬态响应的 D-Cap+™ 模式
• 可通过外部电阻在 250kHz 至 1MHz 范围内选择开
关频率
• 可选的自动跳跃或者只支持脉宽调制 (PWM) 运行
• 内置 1% 0.6V 基准电压。
• 0.7ms，1.4ms，2.8ms 和 5.6ms 可选内部电压伺
服系统软启动
• 集成升压开关
• 预充电启动能力
• 支持可调节的过流限制和温度补偿
• 过压、欠压、欠压锁定 (UVLO) 和过热保护
• 支持所有陶瓷输出电容
• 开漏电源良好指示
• 组装有 NexFET™电源块技术
• 22 引脚四方扁平无引脚 (QFN) 封装，采用
PowerPAD™
• 如需 SWIFT ™电源产品文档，请访问
http://www.ti.com.cn/ww/analog/swift
• 可选“绿色环保”（符合 RoHS 标准）
2 应应用用
• 服务器和存储
• 工作站和台式机
• 电信基础设施
3 说说明明
TPS53355 是一款集成有金属氧化物半导体场效应晶
体管 (MOSFET) 的 D-CAP™模式、30A 同步开关。它
的设计目标是简单易用、减少外部组件，以及适用于空
间受限的电源系统。
该器件 采用 5mΩ/2.0mΩ 集成 MOSFET，精度为
1%，基准电压为 0.6V，并具备一个集成升压开关。富
有竞争力的 特性 包括：1.5V 至 15V 宽转换输入电压
范围、所用外部组件极少、针对超快瞬变的 D-CAP™
模式控制、自动跳跃模式运行、内部软启动控制、可选
频率并且无需补偿。
转换输入电压范围为 1.5V 至 15V，电源电压范围为
4.5V 至 25V，输出电压范围为 0.6V 至 5.5V。
该器件采用 5mm × 6mm、22 引脚 QFN 封装，额定
工作温度范围为 –40°C 至 85°C。
器器件件信信息息
(1)
器器件件型型号号 封封装装 封封装装尺尺寸寸（（标标称称值值））
TPS53355 LSON-CLIP (22) 6.00mm × 5.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
典典型型应应用用
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