Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > FCPF11N60 数据手册
图片仅供参考

FCPF11N60 数据手册

型号系列:
FCPF11N60 系列
分类:
MOS管
描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF11N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V
更新于: 2023/01/13 02:38:26 (UTC + 8)

FCPF11N60 MOS管 数据手册

#1
FCPF11N60

FCPF11N60

数据手册 (14 )
2.9
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FCPF11N60T

FCPF11N60T

数据手册 (14 )
1.1
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
FCPF11N60F

FCPF11N60F

数据手册 (14 )
0.5
Fairchild(飞兆/仙童)
#4
FCPF11N60NT

FCPF11N60NT

数据手册 (13 )
1.0
Fairchild(飞兆/仙童)

FCPF11N60 数据手册 MOS管

12
ON Semiconductor(安森美)
600 V N 沟道 SuperFET
10
ON Semiconductor(安森美)
SupreMOS® MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FCPF11N60 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-220-3
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号