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FZT649 数据手册

型号系列:
FZT649 系列
分类:
双极性晶体管
描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE
更新于: 2023/01/13 03:05:30 (UTC + 8)

FZT649 双极性晶体管 数据手册

#1
FZT649TC

FZT649TC

数据手册 (37 )
0.7
Diodes(美台)
#2
FZT649TA

FZT649TA

数据手册 (8 )
1.7
Diodes(美台)
#3
FZT649

FZT649

数据手册 (8 )
1.0
Diodes(美台)

FZT649 数据手册 双极性晶体管

5
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE
5
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FZT649 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=25 V, HFE:100, 3 + 1 (Tab)引脚 SOT-223封装
2
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc

FZT649 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
150 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
3.00 A
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FZT649 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和晶体管 高电流增益
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