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IR2106 数据手册

型号系列:
IR2106 系列
分类:
-
更新于: 2023/01/13 01:52:30 (UTC + 8)

IR2106 - 数据手册

#1
IR2106STRPBF

IR2106STRPBF

数据手册 (37 )
3.8
Infineon(英飞凌)
#2
IR21064STRPBF

IR21064STRPBF

数据手册 (37 )
2.6
Infineon(英飞凌)
#3
IR2106STRPBF

IR2106STRPBF

数据手册 (24 )
2.8
International Rectifier(国际整流器)
#4
IR21064SPBF

IR21064SPBF

数据手册 (24 )
1.4
International Rectifier(国际整流器)

IR2106 数据手册 -

24
International Rectifier(国际整流器)
24
International Rectifier(国际整流器)
23
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2106SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
23
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2106PBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
23
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21064SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
23
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
23
International Rectifier(国际整流器)
23
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
低边 高边 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
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Infineon(英飞凌)
23
Infineon(英飞凌)
23
Infineon(英飞凌)
23
Infineon(英飞凌)

IR2106 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
PDIP-8
上升/下降时间
150ns, 50ns
电源电压
10V ~ 20V
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