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IR21064STR
器件3D模型
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IR21064STR 数据手册 (23 页)
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IR21064STR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-14
上升/下降时间
150ns, 50ns
电源电压
10V ~ 20V

IR21064STR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR21064STR 数据手册

Infineon(英飞凌)
23 页 / 0.24 MByte

IR21064 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21064SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
低边 高边 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
低边 高边 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
International Rectifier(国际整流器)
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