Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > MMBTA06LT1 数据手册
图片仅供参考

MMBTA06LT1 数据手册

型号系列:
MMBTA06LT1 系列
分类:
双极性晶体管
描述:
驱动晶体管( NPN硅) Driver Transistors(NPN Silicon)
更新于: 2023/01/13 03:19:55 (UTC + 8)

MMBTA06LT1 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBTA06LT1G

MMBTA06LT1G

数据手册 (14 )
7.8
ON Semiconductor(安森美)
#2
MMBTA06LT1HTSA1

MMBTA06LT1HTSA1

数据手册 (8 )
2.3
Infineon(英飞凌)
#3
MMBTA06LT1

MMBTA06LT1

数据手册 (8 )
1.6
ON Semiconductor(安森美)
#4
MMBTA06LT1

MMBTA06LT1

数据手册 (8 )
0.6
Infineon(英飞凌)

MMBTA06LT1 数据手册 双极性晶体管

8
Infineon(英飞凌)
7
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A

MMBTA06LT1 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
查看更多

MMBTA06LT1 - ON Semiconductor(安森美) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Driver Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 描述与应用| 驱动晶体管 我们声明,对产品材料 符合RoHS要求。
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号