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MMBTA 06 LT1
0.023
MMBTA 06 LT1 数据手册 (7 页)
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MMBTA 06 LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.3333333333333333 W
功耗
330 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
330 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

MMBTA 06 LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MMBTA 06 LT1 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.51 MByte

MMBTA06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
CJ(长电科技)
MMBTA06 100~400 编带
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBTA06 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Diotec Semiconductor
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistor
UTC(友顺)
NPN硅晶体管
Diodes(美台)
小信号晶体管( NPN ) Small Signal Transistors (NPN)
Micro Commercial Components(美微科)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Panjit(强茂)
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