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BSM100GB120DN2 数据手册

型号系列:

BSM100GB120DN2 系列

分类:

IGBT晶体管

描述:

IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

文档:

BSM100GB120DN2 数据手册 (12 页)

更新于: 2023/09/27 08:38:53 (UTC + 8)

BSM100GB120DN2 IGBT晶体管数据手册

BSM100GB120DN2

数据手册 (12 页)

1.1

Infineon（英飞凌）

BSM100GB120DN2K

数据手册 (11 页)

1.4

Infineon（英飞凌）

BSM100GB120DN2

数据手册 (9 页)

0.5

Siemens Semiconductor（西门子）

BSM100GB120DN2K

数据手册 (9 页)

0.5

Siemens Semiconductor（西门子）

BSM100GB120DN2 - Infineon（英飞凌）技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

Half Bridge2

功耗

800 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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