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BSP126 数据手册

型号系列:

BSP126 系列

分类:

描述:

BSP126 N沟道MOSFET 250V 375mA/0.375A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP126 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大

文档:

BSP126,135 数据手册 (14 页)

更新于: 2023/09/27 08:38:55 (UTC + 8)

BSP126 - 数据手册

BSP126,135

数据手册 (14 页)

1.3

Nexperia（安世）

BSP126,135

数据手册 (14 页)

0.5

NXP（恩智浦）

BSP126,115

数据手册 (12 页)

1.7

Nexperia（安世）

BSP126

数据手册 (12 页)

1.3

NXP（恩智浦）

BSP126 - NXP（恩智浦）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-223

输入电容值(Ciss)

100pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

BSP126 - NXP（恩智浦）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 250V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 375mA/0.375A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.005Ω/Ohm @300mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.5W Description & Applications| N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor •Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No secondary breakdown. 描述与应用| N沟道增强模式垂直D-MOS晶体管 •直接连接到C-MOS，TTL等 •高速开关 •无二次击穿

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