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BSP51 数据手册

型号系列:
BSP51 系列
分类:
-
描述:
BSP51 NPN+NPN复合三极管 80V 1A 2000 SOT-223 标记BSP51 用于开关/数字电路
更新于: 2023/09/27 08:38:59 (UTC + 8)

BSP51 - 数据手册

#1
BSP51,115

BSP51,115

数据手册 (19 )
1.7
Nexperia(安世)
#2
BSP51

BSP51

数据手册 (11 )
1.0
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
BSP51

BSP51

数据手册 (11 )
0.2
ON Semiconductor(安森美)
#4
BSP51H6327XTSA1

BSP51H6327XTSA1

数据手册 (9 )
2.2
Infineon(英飞凌)

BSP51 数据手册 -

9
NXP(恩智浦)
NXP  BSP51,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
9
Infineon(英飞凌)
8
Infineon(英飞凌)
BSP51 NPN+NPN复合三极管 80V 1A 2000 SOT-223 标记BSP51 用于开关/数字电路
8
NXP(恩智浦)
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistors
8
Infineon(英飞凌)
8
Infineon(英飞凌)

BSP51 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223
额定功率
1.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
1000
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BSP51 - Infineon(英飞凌) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 60V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 1A Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 200MHz Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 2000 Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 1300mV Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 1500mW Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Features • NPN Silicon Darlington Transistors • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BSP60 ... BSP62 (PNP) Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 特点 •NPN硅达林顿晶体管 •高集电极电流 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补类型:BSP60... BSP62(PNP) 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| Description & Applications| 描述与应用|
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