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BSV52 数据手册

型号系列:
BSV52 系列
分类:
双极性晶体管
描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSV52..  射频双极晶体管
更新于: 2023/09/27 08:39:06 (UTC + 8)

BSV52 双极性晶体管 数据手册

#1
BSV52LT1G

BSV52LT1G

数据手册 (36 )
3.9
ON Semiconductor(安森美)
#2
BSV52

BSV52

数据手册 (21 )
3.3
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
BSV52

BSV52

数据手册 (21 )
1.5
ON Semiconductor(安森美)
#4
BSV52_D87Z

BSV52_D87Z

数据手册 (21 )
0.2
Fairchild(飞兆/仙童)

BSV52 数据手册 双极性晶体管

10
Nexperia(安世)
Nexperia BSV52,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
9
NXP(恩智浦)
NXP  BSV52  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
9
Nexperia(安世)
小信号 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
8
NXP(恩智浦)
NXP  BSV52,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
3
ON Semiconductor(安森美)
开关晶体管 Switching Transistor

BSV52 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
400 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
200 mA
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BSV52 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~120 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. 描述与应用| NPN开关晶体管 该设备是专为高速饱和开关 集电极电流10 mA至100 mA的。
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