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Datasheet 搜索 > 二极管 > Broadcom(博通) > 1N5711#T50 Datasheet 文档
1N5711#T50
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1N5711#T50 数据手册 (7 页)
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1N5711#T50 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DO-204AH
功耗
250 mW
耗散功率(Max)
250 mW

1N5711#T50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

1N5711#T50 数据手册

Broadcom(博通)
7 页 / 0.24 MByte

1N5711 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  1N5711  小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 15 mA, 410 mV, 200 °C
Microsemi(美高森美)
肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES
AVAGO Technologies(安华高科)
肖特基二极管与整流器 70 VBR 2 pF
Broadcom(博通)
Microchip(微芯)
HP(惠普)
Agilent(安捷伦)
肖特基势垒二极管的通用应用 Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications
Good-Ark Electronics(固锝)
NTE Electronics
Cobham plc(科巴姆)
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