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Datasheet 搜索 > RF二极管 > Diodes(美台) > 1N5711W-7 Datasheet 文档
1N5711W-7
器件3D模型
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1N5711W-7 数据手册 (3 页)
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1N5711W-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
70.0 V
额定电流
15.0 mA
电容
2.00 pF
封装
SOD-123
额定功率
333 mW
输出电流
≤15.0 mA
极性
Standard
功耗
333 mW
耗散功率(Max)
333 mW

1N5711W-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 125℃ (TJ)

1N5711W-7 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.1 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
3 页 / 0.24 MByte

1N5711 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  1N5711  小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 15 mA, 410 mV, 200 °C
Microsemi(美高森美)
肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES
AVAGO Technologies(安华高科)
肖特基二极管与整流器 70 VBR 2 pF
Broadcom(博通)
Microchip(微芯)
HP(惠普)
Agilent(安捷伦)
肖特基势垒二极管的通用应用 Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications
Good-Ark Electronics(固锝)
NTE Electronics
Vishay Semiconductor(威世)
肖特基二极管 Schottky Diodes
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