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1N5908RL4
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1N5908RL4 数据手册 (5 页)
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1N5908RL4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
6.20 V
工作电压
5 V
封装
DO-201AD
额定功率
1.50 kW
击穿电压
6 V
钳位电压
8.5 V
最大反向电压(Vrrm)
5V
测试电流
1 mA
脉冲峰值功率
1500 W
最小反向击穿电压
6 V
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
-65℃ ~ 175℃

1N5908RL4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
9.50 mm
直径
5.30 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

1N5908RL4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

1N5908 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
1N5908 系列 1500 W 6 V 单向 瞬态电压抑制器 - DO-201
ON Semiconductor(安森美)
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
Microsemi(美高森美)
瞬态吸收齐纳UNIDIRECTLOANL和双向 TRANSIENT ABSORPTION ZENER UNIDIRECTLOANL AND BIDIRECTIONAL
Motorola(摩托罗拉)
Littelfuse(力特)
General Instrument
New Jersey Semiconductor
Schneider Electric(施耐德)
Vishay Semiconductor(威世)
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