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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > 2ED020I12FAXUMA2 Datasheet 文档
2ED020I12FAXUMA2
7.352
2ED020I12FAXUMA2 数据手册 (28 页)
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2ED020I12FAXUMA2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
32 Pin
封装
PG-DSO-36
上升/下降时间
30ns, 50ns
输出接口数
2 Output
针脚数
36 Position
功耗
1000 mW
下降时间(Max)
600 ns
上升时间(Max)
800 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
13V ~ 20V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

2ED020I12FAXUMA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

2ED020I12FAXUMA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
28 页 / 0.99 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
262 页 / 7.41 MByte
Infineon(英飞凌)
39 页 / 3.04 MByte

2ED020I12 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  2ED020I12-FI  芯片, IGBT驱动器, 双路, PG-DSO-18-2
Infineon(英飞凌)
Infineon 2ED020I12FIXUMA1 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, -1A, 14 → 18 V电源, 18引脚 SOIC封装
Infineon(英飞凌)
1200V双通道隔离型IGBT驱动器
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器, 半桥, 2A, 4.5V至5.5V电源, 30ns/50ns延迟, SOIC-36
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器, 高压侧与低压侧, 2A, 4.5V至5.5V电源, 30ns/50ns延迟, SOIC-36
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器
Infineon(英飞凌)
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