器件3D模型

￥ 0.328

NTLJD4116NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NTLJD4116NT1G 数据手册 (7 页)

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NTLJD4116NT1G 数据手册 (7 页)

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NTLJD4116NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

4.60 A

封装

WDFN-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

70 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

700 mV

输入电容

427 pF

栅电荷

6.50 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

3.70 A, 4.60 A

上升时间

11.8 ns

输入电容值(Ciss)

427pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

710 mW

下降时间

11.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.3 W

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NTLJD4116NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTLJD4116NT1G 符合标准

NTLJD4116NT1G 海关信息

NTLJD4116NT1G 概述