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APT42F50B
10.203
APT42F50B 数据手册 (4 页)
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APT42F50B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
42.0 A
封装
TO-247-3
漏源极电阻
110 mΩ
功耗
625 W
阈值电压
4 V
输入电容
6.81 nF
栅电荷
170 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
42.0 A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
6810pF @25V(Vds)
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
625W (Tc)

APT42F50B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
高度
5.31 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT42F50B 数据手册

Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.19 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.2 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APT42F50 数据手册

Microsemi(美高森美)
N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
Microsemi(美高森美)
N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
Microchip(微芯)
N沟道 500V 42A
Microchip(微芯)
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