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2N3501UB
22.36
2N3501UB 数据手册 (3 页)
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2N3501UB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SMD-3
功耗
0.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

2N3501UB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N3501UB 数据手册

Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.1 MByte
Microsemi(美高森美)
7 页 / 0.57 MByte

2N3501 数据手册

Microsemi(美高森美)
NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Central Semiconductor
Multicomp
MULTICOMP  2N3501  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 150 MHz, 1 W, 300 mA, 100 hFE
Micro Commercial Components(美微科)
ST Microelectronics(意法半导体)
Motorola(摩托罗拉)
Boca Semiconductor(博卡半导体)
New Jersey Semiconductor
Microsemi(美高森美)
抗辐射 RADIATION HARDENED
Microsemi(美高森美)
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