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STD18NF25
0.99
STD18NF25 数据手册 (16 页)
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STD18NF25 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-CH
功耗
110 W
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
17A
上升时间
17.2 ns
输入电容值(Ciss)
1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
8.8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STD18NF25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD18NF25 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 1.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.53 MByte

STD18 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD1802T4  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 150 MHz, 15 W, 3 A, 200 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.038Ω - 17A - DPAK封装的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 30V - 0.038Ω - 17A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
低压快速开关NPN功率晶体管 Low voltage fast-switching NPN power transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道250V, 0.14 I© , 17的低栅极电荷STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET的D2PAK和DPAK封装 N-channel 250 V, 0.14 Ω, 17 A low gate charge STripFET™ II Power MOSFET in D2PAK and DPAK packages
ST Microelectronics(意法半导体)
低压快速开关NPN功率晶体管 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Visual Communications Company
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 40 V 2.8 mOhm 表面贴装 STripFET™ F6 功率 Mosfet - DPAK-3
ST Microelectronics(意法半导体)
低压快速开关NPN功率晶体管 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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