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2N4123RLRM
0.04
2N4123RLRM 数据手册 (7 页)
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2N4123RLRM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
200 mA
封装
TO-226-3
功耗
625 mW
增益频宽积
250 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
最小电流放大倍数
50 @2mA, 1V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

2N4123RLRM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Box
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N4123RLRM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.05 MByte

2N4123 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Central Semiconductor
2N4123 系列 1.5 W 30 V 200 mA NPN 硅 晶体管 - TO-92
NTE Electronics
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Micro Commercial Components(美微科)
Fairchild(飞兆/仙童)
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