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2N5087G
0.047
2N5087G 数据手册 (7 页)
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2N5087G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
40 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-50.0 mA
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
625 mW
增益频宽积
40 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
热阻
83.3℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
250 @100µA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N5087G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

2N5087G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte

2N5087 数据手册

Central Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
晶体管放大器 Amplifier Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
Motorola(摩托罗拉)
CJ(长电科技)
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TI(德州仪器)
Micro Electronics
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Samsung(三星)
Advanced Semiconductor
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