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2N5210TA
0.02
2N5210TA 数据手册 (7 页)
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2N5210TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
功耗
0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
200 @100µA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N5210TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5210TA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

2N5210 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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NTE ELECTRONICS  2N5210  晶体管, NPN, 50V
Samsung(三星)
Micro Electronics
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