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2N5551RLRAG
0.04
2N5551RLRAG 数据手册 (6 页)
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2N5551RLRAG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
160 V
额定电流
600 mA
封装
TO-92-3
极性
NPN
功耗
0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
80 @10mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N5551RLRAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5551RLRAG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.39 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

2N5551 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
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2N5551 铜脚 C档 200-300
Fairchild(飞兆/仙童)
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MULTICOMP  2N5551  双极晶体管
先科ST(先科)
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