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2N5686G
12.951
2N5686G 数据手册 (5 页)
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2N5686G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
2 MHz
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-204-2
针脚数
2 Position
极性
NPN
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
热阻
0.584℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
50A
最小电流放大倍数
15
最大电流放大倍数
60
额定功率(Max)
300 W
直流电流增益(hFE)
2
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW

2N5686G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
材质
Silicon
长度
38.86 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

2N5686G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

2N5686 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电流互补硅功率晶体管 High-Current Complementary Silicon Power Transistors
Multicomp
MULTICOMP  2N5686  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 300 W, 50 A, 15 hFE
Microsemi(美高森美)
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
NTE Electronics
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