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2N7000-D26Z 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7000-D26Z 数据手册 (4 页)

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封装尺寸在4 页

2N7000-D26Z 数据手册 (4 页)

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2N7000-D26Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

功耗

400 mW

阈值电压

2.1 V

输入电容

20 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

20pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

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2N7000-D26Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

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2N7000-D26Z 符合标准

2N7000-D26Z 概述

2N7000-D26Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.09 MByte

2N7000-D26Z 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

2N7000-D26Z 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

66 页 / 0.58 MByte

2N7000-D26Z 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

2N7000-D26Z 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

2N7000-D26Z 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

52 页 / 0.26 MByte

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