2N7000G

￥ 0.071

2N7000G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR 2N7000G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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2N7000G 数据手册 (4 页)

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2N7000G 数据手册 (4 页)

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2N7000G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

200 mA

封装

TO-92-3

额定功率

400 mW

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

极性

N-Channel

功耗

350 mW

阈值电压

3 V

输入电容

60 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

输入电容值(Ciss)

60pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

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2N7000G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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2N7000G 符合标准

2N7000G 海关信息

2N7000G 概述

2N7000G 数据手册

2N7000G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.09 MByte

2N7000G 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

2N7000G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2.07 MByte

2N7000G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

2N7000G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

2N7000G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.07 MByte

2N7000G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

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