输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
●2N7002-7-F是一款60V N沟道增强型场效应晶体管, 带镀雾锡端子. 该端子符合MIL-STD-202, method 208焊接标准. 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS (on)), 同时保持卓越的开关性能, 使其成为高效率电源管理应用的理想选择. 外壳由模制塑料"绿色"模塑料 (UL94V-0)制成.
● 低导通电阻
● 低栅极阈值电压
● 低输入电容
● 快速开关速度
● 低输入/输出泄漏
● 无卤素, 无锑
● 绿色设备
● 符合AEC-Q101标准, 高可靠性
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
N沟道MOSFET 60V 115mA SOT-23 代码 K72 低导通电阻RDS
Multicomp
MULTICOMP 2N7002-7-F 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2Ω, 115mA, SOT-23
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
CJ(长电科技)
MOS场效应管 2N7002 7002 SOT-23 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V
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