●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | 0.115A/115MA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 4.4Ω~13.5Ω VGS = 10V, ID = 0.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.0V~2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 300MW/0.3W Description & Applications | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR.
● Low On-Resistance: RDS(ON).
● Low Gate Threshold Voltage.
● Low Input Capacitance.
● Fast Switching Speed.
● Low Input/Output Leakage. 描述与应用 | N沟道增强型场效应晶体管。
●低导通电阻RDS（ON）。
●低栅极阈值电压。
●低输入电容。
●开关速度快。
●低输入/输出漏。
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
N沟道MOSFET 60V 115mA SOT-23 代码 K72 低导通电阻RDS
Multicomp
MULTICOMP 2N7002-7-F 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2Ω, 115mA, SOT-23
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
CJ（长电科技）
MOS场效应管 2N7002 7002 SOT-23 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V
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