2N7002LT3G

￥ 0.031

2N7002LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7002LT3G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

2N7002LT3G 数据手册 (4 页)

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2N7002LT3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

115 A

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 mW

阈值电压

2.5 V

输入电容

50.0 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

115 mA

输入电容值(Ciss)

50pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225mW (Ta)

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2N7002LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7002LT3G 符合标准

2N7002LT3G 海关信息

2N7002LT3G 概述

2N7002LT3G 数据手册

2N7002LT3G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.09 MByte

2N7002LT3G 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

2N7002LT3G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2.07 MByte

2N7002LT3G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

2N7002LT3G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

2N7002LT3G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.6 MByte

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ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET 60 V 115 mA时， N沟道SOT- 23 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23

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