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2N7008-G
0.497
2N7008-G 数据手册 (3 页)
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2N7008-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
7.5 Ω
功耗
1 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Tc)

2N7008-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bag
材质
Silicon
长度
5.08 mm
宽度
0.16 in
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N7008-G 数据手册

Microchip(微芯)
3 页 / 0.54 MByte
Microchip(微芯)
6 页 / 0.13 MByte
Microchip(微芯)
3 页 / 0.5 MByte

2N7008 数据手册

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Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Motorola(摩托罗拉)
Microchip(微芯)
2N7008 N 通道 MOSFET 晶体管Microchip 2N7008 是增强模式(常闭)晶体管,利用垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。### 特点无次级击穿 低电源驱动要求 易于执行并联操作 低 CISS 和快速切换速度 极好的热稳定性 一体式电源漏极二极管 高输入阻抗和高增益 ### MOSFET 晶体管,Microchip
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