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2N918
3.381
2N918 数据手册 (3 页)
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2N918 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-72-3
功耗
300 mW
增益频宽积
600 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
最小电流放大倍数
20 @3mA, 1V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

2N918 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
5.84 mm
宽度
5.84 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N918 数据手册

Central Semiconductor
3 页 / 0.62 MByte
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