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FQPF8N60C
0.594
FQPF8N60C 数据手册 (8 页)
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FQPF8N60C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
7.50 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
1.20 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.50 A
上升时间
60.5 ns
输入电容值(Ciss)
1255pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
48 W
下降时间
64.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
48W (Tc)

FQPF8N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail, Tube
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.19 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF8N60C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.8 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.96 MByte

FQPF8N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FQPF8N60C 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 600V 7.5A
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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