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BSM35GP120
99.578
BSM35GP120 数据手册 (11 页)
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BSM35GP120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
24 Pin
封装
EconoPIM-2
额定功率
230 W
功耗
230 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
1.5nF @25V
额定功率(Max)
230 W
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

BSM35GP120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Design
包装方式
Box
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
高度
17 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

BSM35GP120 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
143 页 / 8.42 MByte

BSM35 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 模块 1200V 35A PIM
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
电路图 Circuit Diagram
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管倍频半导体区) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area)
Siemens Semiconductor(西门子)
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